典型应用场景
高端电子电磁屏蔽部件:5G毫米波通信设备的外壳、高速数据传输接口的屏蔽基座、高频测试仪器的内部电磁隔离结构件,可有效阻挡外界电磁干扰,保障信号传输的稳定性。汽车高压电子部件:800V高压平台的电机控制器屏蔽外壳、车载毫米波雷达的电磁隔离结构件,可有效阻挡高压大电流产生的电磁干扰,避免影响车载其他电子设备的正常工作。
RTP 2181 HEC在半导体领域的核心用法,是依托镍镀层碳纤维带来的低阻导电特性、30~60dB的EMI电磁屏蔽效能,结合PEI基材的超高耐温、低析出特性,实现ESD静电防护与电磁干扰屏蔽的一体化,解决先进制程产线中静电损伤晶圆、高频电磁信号干扰制程精度的行业痛点,目前已在晶圆全流转环节、核心制程设备中形成多个成熟落地场景。
晶圆全流程流转载具的ESD+电磁屏蔽一体化部件
12英寸FOUP晶圆载具的电磁屏蔽卡槽:在长江存储、中芯国际的3D NAND先进制程产线中,该材料被用于制作晶圆FOUP载具内部的晶圆支撑卡槽,替代传统普通ESD PEI部件。它既可以通过稳定的10^5~10^6 Ω表面电阻率,完全消除晶圆高速转运过程中产生的静电积累,避免静电击穿晶圆电路;又能阻挡车间内自动化搬运机器人的高频电机电磁信号穿透载具,干扰晶圆表面的敏感电路,将晶圆在转运环节的良率损失降低0.8%以上。
晶圆PVD/刻蚀制程专用承载花篮:在华虹无锡的12英寸晶圆产线中,该材料被用于制作PVD物理气相沉积、干法刻蚀工序的晶圆承载花篮。它的极低金属析出量(<1ppm)不会在晶圆表面引入金属污染,同时在刻蚀机的强电磁环境下,可形成均匀的电磁屏蔽层,避免高频等离子体的电磁信号在花篮表面形成局部放电,损伤晶圆边缘的光刻胶图形,将刻蚀工序的图形缺陷率降低15%。


半导体核心制程设备的电磁屏蔽结构件
光刻机晶圆台的电磁屏蔽绝缘基座:在国内头部光刻机厂商的ArF浸没式光刻机中,该材料被用于制作晶圆承载台的电磁屏蔽绝缘支撑部件。光刻机内部的激光光源、高精度位移台会产生大量高频电磁信号,该材料可实现60dB以上的电磁屏蔽效果,完全阻挡这些电磁信号干扰晶圆台的亚纳米级位移定位精度,同时在180℃的长期高温工况下,形变量小于1μm,保障光刻机的对位精度长期稳定。
RTP快速热处理设备的电磁屏蔽腔体结构件:在北方华创的UltraRapid系列RTP快速退火设备中,该材料被用于制作设备内部的电磁屏蔽绝缘腔体部件。RTP设备的高功率卤素灯阵在快速升温过程中会产生强电磁辐射,该材料既可以阻挡这些电磁信号外泄干扰车间内其他精密设备,又能避免外界电磁信号干扰设备的红外测温传感器精度,保障晶圆退火过程中的片内温度均匀性稳定在±1℃以内。
半导体测试与封装环节的专用部件
高端探针台的晶圆承载基座:在长川科技的12英寸先进制程探针台中,该材料被用于制作晶圆承载基座。探针台内部的高频测试信号极易互相串扰,该材料的高导电屏蔽层可实现不同测试通道之间的电磁隔离,将信号串扰降低40dB以上,大幅提升先进制程芯片的测试精度,同时材料的抗蠕变性能保障基座在长期高频振动工况下,形位公差精度长期稳定,探针的对位偏差报警次数减少60%。
芯片封装固晶机的电磁屏蔽吸嘴基座:在长电科技的先进封装产线中,该材料被用于制作固晶机的芯片吸嘴支撑基座。固晶机的高频伺服电机产生的电磁信号极易干扰芯片的高精度对位视觉系统,该材料的电磁屏蔽效果可完全阻挡这些电磁信号,保障视觉对位系统的识别精度稳定在亚微米级,同时材料的自润滑特性让吸嘴基座的滑动磨损率大幅降低,设备维护周期从3个月延长至12个月。