核心应用场景

采购相关信息

国内有HD MicroSystems正规授权代理商供货，如东莞市天之鸿塑化有限公司 常规1KG包装起订，市场参考单价约30000元/千克，常规交期1~2个月，可提供完整的COA、MSDS及工艺指导文件，支持小批量试样验证。

HD3000作为无NMP环保型热塑性临时键合聚酰亚胺，核心适配各类需要超薄晶圆临时刚性支撑、可耐受高温工艺且最终能无损解键合的先进封装场景，是2.5D/3D封装领域的经典临时键合解决方案。

核心适配的具体封装工艺
2.5D/3D先进封装超薄晶圆减薄工艺
作为临时键合胶将超薄晶圆牢固粘接在玻璃载片上，支撑晶圆减薄至50μm以下的加工过程，避免超薄晶圆翘曲碎裂，后续可通过激光照射快速解键合，完全不损伤晶圆表面电路。

TSV硅通孔背面布线工艺
在TSV晶圆的背面金属化、介质层沉积等高温工艺中，提供450℃以下的稳定临时支撑，耐受各类高温热处理与强酸强碱化学品浸泡，全程无空洞、无分层风险。

SiC/GaN功率器件薄型化封装工艺
为第三代半导体功率器件的超薄晶圆加工提供刚性支撑，耐受功率器件制造过程中的高温金属化工艺，保障薄型功率器件的加工良率，适配车规级功率半导体的严苛制造要求。
Fan-Out扇出型晶圆级封装（FOWLP）
在重构晶圆的临时键合工序中使用，支撑塑封后的重构晶圆的背面研磨、重布线层加工，加工完成后可温和解键合，无胶层残留污染。

MEMS器件晶圆级封装工艺
为MEMS敏感晶圆提供临时刚性支撑，在深硅刻蚀、薄膜沉积等工艺中保护MEMS微结构不受机械损伤，加工完成后可通过溶剂完全清洗去除，不会破坏MEMS精密结构。

超薄柔性显示面板的晶圆级转移工艺
作为柔性超薄显示芯片的临时转移粘接层，支撑柔性器件的批量晶圆级转移加工，完成后可完全剥离去除，无残留污染，适配折叠屏柔性显示驱动芯片的制造场景。

异质集成晶圆临时键合工艺
在不同材料体系的异质晶圆键合工序中，作为中间临时粘接层，适配硅-硅、硅-玻璃等异质基底的临时支撑需求，解决异质材料热膨胀失配带来的翘曲问题。

工艺适配关键注意事项
键合操作需在加热加压条件下完成，可实现硅基底、玻璃基底的无气泡牢固粘接，界面结合力均匀稳定。
解键合采用激光照射基底的方式即可快速分离，表面少量残留胶层可直接用专用溶剂完全清洗去除，不会损伤晶圆表面线路。
全程无NMP溶剂释放，完全符合REACH环保法规要求，适配先进产线的绿色制造标准。

HD3000在先进封装领域应用最集中的三大场景，均围绕超薄晶圆临时支撑的核心需求展开，其中2.5D/3D TSV封装是其用量 的主流落地场景。

1. 2.5D/3D TSV硅通孔封装（用量占比 ）
这是HD3000最核心的量产应用场景，占其整体封装应用量的60%以上。它作为临时键合胶将超薄功能晶圆牢固粘接在玻璃载片上，支撑晶圆减薄至50μm以下的加工过程，后续可耐受TSV背面金属化、介质层沉积等400℃级高温工艺，全程无空洞、无分层，加工完成后通过激光照射即可快速无损解键合，完全不损伤晶圆表面精密电路，是当前高端AI芯片、HBM高带宽存储器封装的主流成熟方案。

2. Fan-Out扇出型晶圆级封装（FOWLP）
该场景是HD3000 大应用方向，占其整体封装应用量的25%左右。在重构晶圆的临时键合工序中，它作为塑封后重构晶圆的临时支撑层，支撑背面研磨、多层重布线层加工等全流程工艺，凭借高耐化学性抵御各类光刻、刻蚀化学品浸泡，加工完成后可温和解键合，胶层无残留污染，广泛适配智能手机、可穿戴设备的消费电子芯片封装场景。

3. SiC/GaN功率器件薄型化封装
该场景是HD3000增长 的新兴应用方向，占其整体封装应用量的10%左右。在第三代半导体功率器件的超薄晶圆加工中，它提供高强度临时刚性支撑，耐受功率器件制造过程中的高温金属化、离子注入等严苛工艺，保障薄型功率器件的加工良率，完全满足车规级功率半导体的高可靠性制造要求。

其余MEMS晶圆级封装、柔性显示芯片转移等场景，目前仅占其应用总量的5%以内，属于小众细分适配场景。