产品展厅
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衍生环保版本：2025年推出了低NMP改良版HD4110GS，完全保留原型号所有光刻、机械、热学性能，无需大幅调整产线工艺即可直接替换，进一步满足更严苛的环保合规要求。
产品核心定位
作为HD4100系列的高粘度厚胶版本，它和同系列另外两款产品形成明确的厚度梯度分工：
典型应用场景
大功率功率半导体厚应力缓冲层：在IGBT、SiC MOSFET等工业大功率器件表面形成10~20μm的超厚PI层，可 程度吸收芯片与封装基板之间的巨大热失配应力，避免功率模块在长期高温循环工况下出现分层失效，是工业级功率半导体封装的主流选择。MEMS大深宽比微结构制备：高粘度特性可支撑一次性形成20μm厚的光刻图形，实现大深宽比的MEMS微纳结构加工，无需多次叠层涂布，大幅简化MEMS器件的制备流程。
HD4110在SiC封装中是专门针对宽禁带器件高应力、高耐热场景优化的厚膜PI材料，核心优势完全匹配SiC功率模块的 工况需求，是工业级SiC器件封装的主流成熟选择。
超厚应力缓冲，解决SiC封装核心失效痛点
一次性旋涂即可实现8~20μm的厚膜成膜，远高于常规PI材料的 厚度上限，可 程度吸收SiC芯片与DBC/AMB陶瓷基板之间的巨大热失配应力。
SiC器件长期在200℃以上的高温循环工况下工作，该材料可有效避免银烧结层、焊料层出现疲劳分层，将SiC功率模块的功率循环寿命提升30%以上，完全适配车规级AEC-Q101可靠性要求。
超高热稳定性，适配SiC高温制程与工况
固化后玻璃化转变温度Tg达330℃，1%热失重温度Td超430℃，可直接兼容SiC封装中银烧结、350℃以上高温金属沉积等特殊
制程，不会出现膜层变形或分解。
长期耐受200~250℃的SiC器件 结温，在EV traction inverter、工业大功率驱动等 工况下，绝缘性能和机械性能无明显衰减，远优于普通硅基器件用PI材料。
低寄生特性，匹配SiC高频高速开关需求
固化后介电损耗极低，在SiC器件10~100kHz的高频开关场景下，不会引入额外的寄生电容和寄生电感，避免加剧SiC高速开关
带来的电压过冲和EMI干扰问题。
高粘度厚膜配方可 填充SiC芯片表面铜布线之间的大间隙，无气泡残留，大幅降低高压下的局部放电风险，适配1200V及以上高压SiC功率模块的绝缘要求。
环保衍生版本，降低产线合规成本
2025年推出的改良版HD4110GS完全去除NMP溶剂，所有光刻、机械、热学性能与原版 一致，产线无需大幅调整工艺即可直接替换，完全满足半导体行业 的职业健康与环保合规要求。
本公司主要经营的产品有：全氟磺酸、全氟无定形聚合物、聚苯并咪唑、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚砜、高温尼龙、氟流体、氟树脂等特种塑料系列；PTFE改性助剂系列；氟橡胶等各种合成橡胶系列，与国内外知名化工企业合作，包括苏威、大金、科慕、旭硝子、赢创、威格斯等各类化工产品，并在合作中与这些公司形成长期良好的战略合作关系。交流；广纳博交的企业精神，愿与社会各界朋友精诚合作，共创美好家园！
