产品展厅
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核心机械性能
拉伸强度：23 kpsi（160 MPa），拉伸模量5900 MPa，刚性与抗形变能力优异
热与环境稳定性
玻璃化转变温度：427℃，无明确熔点，高温下不会快速熔融流变
超高纯度核心特性
这是该材料最核心的差异化优势：
电气绝缘特性
体积电阻率：2×10¹⁵ Ω·cm，属于极高绝缘等级
半导体行业专属应用场景
干法蚀刻腔体的密封环、绝缘支撑组件，替代石英和陶瓷，零件服役寿命延长2倍以上
Celazole U-60SD作为专为半导体开发的超高纯无填充PBI，核心聚焦高洁净真空、低金属离子析出、强等离子体腐蚀的腔体内工况，在以下几类半导体设备中应用最广泛：
氧化物干法蚀刻设备
这是U-60SD最核心的应用场景，原厂公开数据显示其零件寿命是传统石英/陶瓷的2倍以上。
核心应用零件：蚀刻腔体的主密封环、绝缘支撑组件、腔体内部定位销
核心优势：1ppm级的超低金属离子析出，完全避免晶圆在氧化物蚀刻过程中被金属杂质污染；耐氟基等离子体长期轰击，零件服役寿命从传统石英件的3个月延长至6个月以上，大幅减少腔体维护停机时间
物理气相沉积（PVD）溅射设备
是U-60SD在薄膜沉积类设备中渗透率 的品类，适配各类金属、介质薄膜溅射制程。
核心应用零件：溅射腔体内的晶圆升降顶针、靶材绝缘衬套、腔体内部隔热支撑件
核心优势：极低的释气率适配高真空溅射环境，不会在腔体内释放挥发性杂质影响薄膜纯度；370℃长期耐温性，在连续高温溅射工况下无热变形，零件精度偏差控制在±2μm以内
化学气相沉积（CVD）设备
覆盖从LPCVD、PECVD到ALD的全系列化学气相沉积设备，适配各类高温薄膜沉积制程。
核心应用零件：晶圆承载器的绝缘衬垫、反应腔的密封组件、气体分布板的绝缘支撑件
核心优势：优异的耐化学腐蚀性，耐受各类沉积前驱体气体长期侵蚀；无填料杂质析出，完全避免薄膜生长过程中出现颗粒缺陷，晶圆良率可提升1~2个百分点
高世代面板蚀刻与沉积设备
在大尺寸LCD/OLED面板生产线的高温制程中，U-60SD的应用占比逐年提升。
核心应用零件：面板蚀刻腔体的大型密封件、PVD制程的面板承载治具定位块
核心优势：轻量化特性大幅降低大型治具的传动负载，同时无金属离子析出，避免大尺寸面板出现局部电路击穿不良，治具使用寿命是普通PI材质的6倍以上
其他高洁净腔体内辅助设备
真空传输腔的绝缘螺丝、衬套、定位块，替代传统聚酰亚胺零件，使用寿命延长数倍
等离子清洗机的腔体内绝缘组件，耐受强腐蚀等离子体长期冲刷，减少微颗粒产生
快速热退火（RTP）设备的晶圆支撑钉，在1000℃级短时高温冲击下无变形开裂风险
